晶片电阻率及扩散层电阻测试方法
发布时间： 2023-08-18 20:44:49 点击： 596
晶片电阻率及扩散层电阻测试方法
测量单晶硅电阻率的方法如下：
选择测试样品：选择具有代表性的单晶硅样品。
测量样品的直径和厚度：使用卡尺等测量工具，测量样品的直径和厚度。
计算样品的截面积：根据直径和厚度，计算样品的截面积。
测量样品的电阻值：使用电阻测试仪测量样品的电阻值。为了提高测试的准确性，可以多次测量取平均值。
晶片的电阻率是表征晶体导电性能的参数，单位为欧姆·厘米。
不同的晶体材料具有不同的电阻率范围，例如，用于光伏应用的典型mc-Si晶片的电阻率范围为0.015至0.028欧姆·厘米。而用于PV应用的典型mc-Si晶片的电阻率范围则为1.0至1.4欧姆·厘米。
计算样品的电阻率：根据测量的电阻值和样品的截面积，使用以下公式计算样品的电阻率ρ：
ρ = ρ₀ * (L/S)
其中，ρ₀为标准样品的电阻率，L为样品的长度，S为样品的截面积。
对多个样品进行测试，以得到更准确的结果。
另外，对于扩散层电阻的测试，可以使用接触或非接触的方法进行测试。具体方法需要根据具体应用和测试条件选择。
扩散层电阻是一种重要的物理参数，用于描述半导体材料中杂质扩散工艺对材料电学性能的影响。扩散层电阻的测量对于评估半导体材料和器件的性能以及工艺控制都具有重要意义。
一种测量扩散层电阻的方法是利用扩散工艺在硅片表面掺入三价或五价元素，改变硅片的电阻率所形成的电阻。例如，在n型衬底的硅片上注入硼离子，形成p型扩散电阻。通过测量注入离子浓度、深*度和空间分布等参数，可以计算出扩散层电阻。
另一种测量扩散层电阻的方法是利用Hall效应测试仪进行测量。该方法需要在样品上制作Hall电极，并在低温下进行测试。通过测量样品的载流子浓度、迁移率和霍尔系数等参数，可以计算出扩散层电阻。
总之，扩散层电阻的测量对于半导体材料和器件的研究和开发都具有重要意义。扩散层电阻的异常会导致器件性能的下降，因此对于半导体制造过程中的质量控制也是至关重要的。
